10月21日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024—2030年）》（下稱“《行動方案》”），明確力爭到2030年，廣東取得10項以上光芯片領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領(lǐng)軍企業(yè)，建設(shè)10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺。
據(jù)了解，光芯片是實現(xiàn)光電信號轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)元器件，相較于集成電路，展現(xiàn)出更低的傳輸損耗、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲以及更強的抗電磁干擾能力，有望帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變革式發(fā)展，有力支撐新一代網(wǎng)絡(luò)通信、人工智能、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
突破關(guān)鍵技術(shù)，加快中試轉(zhuǎn)化
《行動方案》明確，強化光芯片基礎(chǔ)研究和原始創(chuàng)新能力，將鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網(wǎng)絡(luò)、柔性光子芯片、片上光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等未來前沿科學(xué)問題開展基礎(chǔ)研究。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導(dǎo)體材料、硅光集成技術(shù)、柔性集成技術(shù)、磊晶生長和外延工藝、核心半導(dǎo)體設(shè)備等方向的研發(fā)投入力度。加大“強芯”工程對光芯片的支持力度，將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構(gòu)技術(shù)的研發(fā)補貼、量產(chǎn)前首輪流片獎補等產(chǎn)業(yè)政策，擴展至光芯片設(shè)計自動化軟件（PDA工具）、硅光MPW流片等領(lǐng)域。
廣東將支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導(dǎo)體、硅基（異質(zhì)異構(gòu)）集成、光電混合集成等領(lǐng)域，建設(shè)概念驗證中心、研發(fā)先導(dǎo)線和中試線。支持中試平臺積極發(fā)揮效能。支持中試平臺圍繞光芯片相關(guān)領(lǐng)域，向中小企業(yè)提供原型制造、質(zhì)量性能檢測、小批量試生產(chǎn)、工藝放大熟化等系列服務(wù)，推動新技術(shù)、新產(chǎn)品加快熟化。鼓勵中試平臺搭建眾創(chuàng)空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并通過許可、出售等方式將成熟技術(shù)成果轉(zhuǎn)讓給企業(yè)。
建設(shè)創(chuàng)新平臺，推動產(chǎn)業(yè)集聚
廣東將依托企業(yè)、高校、科研院所、新型研發(fā)機構(gòu)等各類創(chuàng)新主體，布局建設(shè)一批光芯片領(lǐng)域共性技術(shù)研發(fā)平臺，主要聚焦基礎(chǔ)理論研究和新興技術(shù)、顛覆性技術(shù)攻關(guān)。引進國內(nèi)外戰(zhàn)略科技力量，培育一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、技術(shù)創(chuàng)新中心、制造業(yè)創(chuàng)新中心、企業(yè)技術(shù)中心、工程研究中心、重點實驗室等創(chuàng)新平臺，主要聚焦光芯片關(guān)鍵細分環(huán)節(jié)。圍繞研發(fā)設(shè)計、概念驗證、小試、中試、檢驗檢測、知識產(chǎn)權(quán)、人才培養(yǎng)等專業(yè)化服務(wù)領(lǐng)域，打造一批促進光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的公共服務(wù)平臺。
《行動方案》明確，支持有條件的地市研究出臺關(guān)于發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)的專項規(guī)劃，加快引進國內(nèi)外光芯片領(lǐng)域高端創(chuàng)新資源。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發(fā)揮半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ)優(yōu)勢，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產(chǎn)業(yè)集群，打造涵蓋設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)的光芯片全產(chǎn)業(yè)鏈。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依托半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，規(guī)劃建設(shè)各具特色的光芯片專業(yè)園區(qū)。
培育領(lǐng)軍企業(yè)，加強協(xié)同創(chuàng)新
廣東將引進一批匯聚全球資源、在細分領(lǐng)域占據(jù)引領(lǐng)地位的領(lǐng)軍企業(yè)和新物種企業(yè)。支持有條件的光芯片企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)進行并購整合。探索產(chǎn)學(xué)研協(xié)同攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關(guān)，孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)。鼓勵半導(dǎo)體及集成電路頭部企業(yè)發(fā)揮產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)優(yōu)勢，延伸布局光芯片相關(guān)領(lǐng)域。支持光芯片龍頭企業(yè)加大在粵的研發(fā)和產(chǎn)線布局，加快形成光芯片產(chǎn)業(yè)集群。支持外資光芯片企業(yè)布局建設(shè)企業(yè)技術(shù)中心、工程研究中心、工程技術(shù)研究中心等各類平臺。
《行動方案》指出，廣東積極對接國家集成電路戰(zhàn)略布局，爭取一批國家級光芯片項目落地廣東。加強與香港、澳門高等院校、科研院所的協(xié)同創(chuàng)新，對接優(yōu)質(zhì)科技成果、創(chuàng)新人才和金融資本。加強與京津冀、長三角等國內(nèi)先進地區(qū)企業(yè)、機構(gòu)交流合作，加強導(dǎo)入優(yōu)質(zhì)研發(fā)資源和產(chǎn)業(yè)資源。建立與國際知名高校、研發(fā)機構(gòu)、技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)等各類創(chuàng)新主體的交流合作機制。
強鏈補鏈，培育前沿技術(shù)
攻關(guān)光芯片關(guān)鍵材料裝備。大力支持硅光材料、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學(xué)傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡(luò)測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。
加強光芯片設(shè)計研發(fā)、制造布局和封裝水平。支持光芯片設(shè)計企業(yè)圍繞光通信互連收發(fā)芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有機成像芯片、TOF/FMCW激光雷達芯片、3D視覺感知芯片等領(lǐng)域加強研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化布局。加大基于硅基、鍺基、化合物半導(dǎo)體、薄膜鈮酸鋰等平臺材料，以及各類材料異質(zhì)異構(gòu)集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產(chǎn)線和產(chǎn)能布局。大力發(fā)展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進封裝技術(shù)，緊貼市場需求推動光芯片封裝測試工藝技術(shù)升級和能力提升。
加強光芯片產(chǎn)品示范應(yīng)用。大力支持光芯片在新一代信息通信、數(shù)據(jù)中心、智算中心、生物醫(yī)藥、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)的場景示范和產(chǎn)品應(yīng)用。培育更多應(yīng)用場景，加大光芯片產(chǎn)品在信息傳輸、探測、傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用，推動相關(guān)領(lǐng)域半導(dǎo)體產(chǎn)品升級換代。
圍繞光芯片前沿理論和技術(shù)問題開展基礎(chǔ)攻關(guān)和研發(fā)布局。支持企業(yè)、高校、研究機構(gòu)等圍繞光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電異質(zhì)異構(gòu)混合集成芯片、微腔光電子芯片、冪次增長算力光芯片等技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)布局，努力實現(xiàn)原理性突破、原始性技術(shù)積累和開創(chuàng)性突破。
來源：南方新聞網(wǎng)
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